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Mémoire RAM 1x 4GB Samsung ECC UNBUFFERED DDR3 2Rx8 1333MHz PC3-10600 UDIMM | NT4GC72B8PB0NF-CG
- Kit de mémoire RAM 4 GB composé de 1x 4GB 2Rx8 PC3-10600 DDR3 1333MHz 1.5 V UDIMM | NT4GC72B8PB0NF-CG
Type de produitRAM
FabricantNanya
Désignation du fabricantNT4GC72B8PB0NF-CG
Statututilisé
Capacité totale4 GB
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Informations importantes
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Type de produit
RAM
Fabricant
Nanya
Désignation du fabricant
NT4GC72B8PB0NF-CG
Statut
utilisé
Capacité totale
4 GB
Kit
1x 4GB
Rang
2Rx8
Type
DDR3
Type de mémoire
ECC UNBUFFERED
Enregistrement (ECC enregistré)
pas
Vitesse du module
PC3-10600
Fréquence
1333MHz
Temps de latence du cycle
9
Tension (V)
1.5
Connecteur
240 broches
Garantie
1 an
Soutien au CEC
oui
Entité responsable de ce produit dans l'UE
Nanya Technology Corporation
FabricantNanya Technology CorporationAdresse:
No. 98, Nanlin Rd., Taishan DistCode postal: 243Ville: New Taipei CitPays: TajwanAdresse email: NTCESG@ntc.com.tw
Entité responsableRutronik Elektronische Bauelemente GmbHAdresse:
Industriestrasse 2Code postal: 75228Ville: IspringenPays: NiemcyAdresse email: memory@rutronik.com
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